多値メモリー技術、超多値技術

1個のメモリセルに2値(1ビット)を超えるデータを蓄積する技術。
フラッシュメモリーのチップ面積、製造コストを増やさず記憶容量を増大させるとして期待されている。

1個のメモリセルに4値(2ビット)のデータを記憶させるフラッシュメモリー製品が出荷されている。
超多値(3ビット/セル以上)の製品については、3ビット/セル品を2008年3月に東芝がサンプル出荷した。
3ビット/セル品は2ビット/セル品に比べチップ面積を20%以上縮小できるが、書き換え可能回数が1桁低く、1000-10000回になる。
4ビット/セル品ではさらに100回ぐらいとなり、用途は限られる。
ただし、光ディスク(追記型DVD等)の置き換えなら、これで十分と見られる。